9月NAND Flash价格涨幅反超DRAM
据CFM闪存市场报价,2025年第三季度,NAND Flash市场综合价格指数上涨5%,DRAM市场综合价格指数上涨19.2%。9月单月来看,NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%,DRAM市场综合价格指数上涨2.6%。预计四季度eSSD涨幅将达到1
据CFM闪存市场报价,2025年第三季度,NAND Flash市场综合价格指数上涨5%,DRAM市场综合价格指数上涨19.2%。9月单月来看,NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%,DRAM市场综合价格指数上涨2.6%。预计四季度eSSD涨幅将达到1
有消息称,DRAM及NAND闪存市场都出现缺货,且缺货情况较此前预测更为严峻,预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。
前一段时间,美光通知客户暂停向分销商和OEM/ODM制造商提供所有产品的报价,包括DRAM和NAND闪存产品。美光在审查了客户的需求预测后发现,将面临严重的供应短缺,促使其紧急暂停所有产品的报价,希望利用更多时间进行评估,以便重新调整自身的定价策略。
存储芯片是用于存储数据、程序及中间运算结果的半导体器件,是电子设备的“记忆单元”。其核心功能是实现数据的长期留存与高速调取,主要分为DRAM(动态随机存取存储器,侧重高速临时存储)、NAND Flash(闪存,侧重长期数据保存)及HBM(高带宽存储器,适配高性
随着DRAM半导体库存跌至历史最低水平,分析认为,七年来首个“半导体超级周期”正在蓄势待发。近期,受人工智能热潮推动的HBM(高带宽存储器)需求激增、NVIDIA的供应商选择以及特朗普政府加征的关税等因素影响,全球存储器半导体行业经历了快速变革。然而,所有情况
近日,存储行业传出重磅信号:全球模组龙头威刚宣布自9月29日起暂停报价,这一举动被业内视为存储芯片价格即将全面上调的强烈信号。据财联社最新调研,预计今年第四季度至2026年,存储芯片价格将进入持续上升通道。
未来可能达万亿级别的可能是长鑫存储或者是长江存储,目前他们的估值分别是1400亿和1600亿。
“前几天跟风买了某存储概念股,说是沾边产业链,结果跌了15%!”2025年9月底,股民张先生看着账户里的浮亏懊恼不已。随着长江存储完成股改、长鑫存储16nm DRAM技术突破的消息接连传出,A股存储概念板块掀起一波炒作热潮,近百家公司被贴上“存储关联”标签,部
9月29号下午,股民阿强在整理持仓时,盯着某只存储芯片股的K线愣了半天。这只从6月低点12块买的股票,现在股价已经飙到52块,半年不到涨了349%,中报预告更是显示净利润同比增320%。打开板块行情更吃惊:存储芯片指数近3个月涨75%,10家正宗存储芯片企业全
由于供应紧张和云端企业需求激增,三星电子将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%;NAND闪存价格上涨5%至10%;美光科技通知客户价格将上涨20%至30%。资本市场最大的逻辑之一就是涨价,因为涨价代表供需失衡中的供不应求,成本没变
最近打开行情软件,存储芯片板块的涨势看得人眼花缭乱!9月下旬,美光财报刚一出炉,营收同比暴涨46%,高端存储业务收入直接冲到20亿美元,A股这边立马跟着沸腾,香农芯创六天涨近一倍,兆易创新创下四年新高,深科技也一路走高。身边不少朋友都在问,这波行情是短期炒作还
技术突破:全球唯一采用Xtacking®架构的3D NAND厂商,2025年推出的Xtacking®4.0技术单Die容量达2Tb,支持AI服务器、数据中心等高端场景,技术指标与三星V-NAND 7.0代际相当 。其294层堆叠的X4-9070芯片已量产,接口
今天刷存储芯片板块的行情,越看越有门道。上周五整个板块跌了1.82%,不少概念股跟着跌,但有几家公司反而被资金逆势加仓,仔细一查才发现,它们有个共同标签——既是长江存储的供应商,又是长鑫存储的合作伙伴。要知道,长江存储主攻3D NAND闪存,长鑫存储专注DRA
三位知情人士透露,中国最大的NAND闪存芯片制造商长江存储(YMTC)正计划扩展到 DRAM 芯片制造业务,包括用于制造人工智能芯片组的高级版本。
近日市场消息显示,DRAM与NAND闪存市场缺货态势较此前预测更为严峻,行业价格上涨窗口已明确开启,预计2024年四季度及2026年将迎来进一步涨价。
兆易创新通过增资持有长鑫科技约1.88%股权,且其DRAM产品由长鑫存储独家代工,2025年关联交易预计达11.61亿元。双方合作开发3D DRAM,合作产品已通过小米、华为测试,计划2025年下半年量产。长鑫存储合肥二期工厂30%的产能优先供应兆易创新,双方
继闪迪、美光、三星及西部数据宣布涨价之后,存储模组大厂威刚在日前宣布,自29日起停止DDR4报价,DDR5与NAND闪存优先供应主要客户;NAND闪存控制芯片大厂群联则已在近日恢复部分报价,价格涨幅约10%,被看作NAND闪存市场的“开涨信号”。
2025 年 9 月 25 日,北京君正集成电路股份有限公司(证券代码:300223,证券简称:北京君正)以举办投资者关系活动,广发证券、东海证券等机构代表受邀参与。公司董事会秘书张敏围绕公司基本经营情况、产品线布局、市场动态及未来规划等核心议题展开详细介绍,
2025 年 DRAM 技术聚焦制程迭代与高带宽应用,市场由三星、SK 海力士、美光主导,长鑫存储等中国厂商加速追赶。制程向 4F² 节点推进,2024 年 1α/1β 节点量产占比提升,三星 D1b 节点位密度达 446.67Mb/mm²,核心参数领先行业。
在AI对存储旺盛需求推动下,影响已从HBM传导到DRAM和NAND Flash领域。